SIS443DN-T1-GE3 datasheet
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>> SIS443DN-T1-GE3 MOSFET -40V .0117Ohm@10V 35A P-Ch G-III datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
SIS443DN-T1-GE3
库存数量:
可订货
制造商:
Vishay Semiconductors
描述:
MOSFET -40V .0117Ohm@10V 35A P-Ch G-III
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET -40V .0117Ohm@10V 35A P-Ch G-III
SIS443DN-T1-GE3 PDF下载
制造商
Vishay Semiconductors
晶体管极性
P-Channel
汲极/源极击穿电压
- 40 V
闸/源击穿电压
20 V
漏极连续电流
- 35 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
0.016 Ohms
配置
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK1212-8
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
SIS443DN-T1-GE3
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公司名
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陈先生 13360533550
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0755-82999903
朱先生
昆山开发区美科微电子商行
18951125455
易春花
SIS443DN-T1-GE3 参考价格
价格分段
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